相比硅基功率半導(dǎo)體，SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在顯著優(yōu)勢。
隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
SiC那么“神乎其神”，究竟是怎么造出來的？現(xiàn)在都有哪些應(yīng)用？一起來看！
〖 一顆SiC的誕生 〗
和其他功率半導(dǎo)體一樣，SiC-MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈包括長晶-襯底-外延-設(shè)計-制造-封裝環(huán)節(jié)。
◇ 長晶 ◇
長晶環(huán)節(jié)中，和單晶硅使用的提拉法工藝制備不同，碳化硅主要采用物理氣相輸運法（PVT，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法），高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）作為補(bǔ)充。
核心步驟
1.碳化硅固體原料；
2.加熱后碳化硅固體變成氣體；
3.氣體移動到籽晶表面；
4.氣體在籽晶表面生長為晶體。
圖源：《拆解PVT生長碳化硅的技術(shù)點》
工藝的不同，導(dǎo)致碳化硅長晶環(huán)節(jié)相比硅基而言，有兩大劣勢：
一是生產(chǎn)難度大，良率較低。碳化硅氣相生長的溫度在2300℃以上，壓力350MPa。全程暗箱進(jìn)行，易混入雜質(zhì)，良率低于硅基，直徑越大，良率越低。
二是生長速度慢。PVT法生長非常緩慢，速度約為0.3-0.5mm/h，7天才能生長2cm，并且最高也僅能生長3-5cm，晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸。
而硅基72h即可生長至2-3m的高度，直徑多為6英寸、8英寸新投產(chǎn)能則多為12英寸。因此碳化硅的常稱之為晶錠，硅則成為晶棒。
碳化硅晶錠
◇ 襯底 ◇
長晶完成后，就進(jìn)入襯底生產(chǎn)環(huán)節(jié)。經(jīng)過定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、拋光（機(jī)械拋光）、超精密拋光（化學(xué)機(jī)械拋光），得到碳化硅襯底。
襯底主要起到物理支撐、導(dǎo)熱和導(dǎo)電的作用。加工的難點在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，因此傳統(tǒng)硅基加工的方式不適用于碳化硅襯底。
切割效果的好壞直接影響碳化硅產(chǎn)品的性能和利用效率（成本），因此要求翹曲度小、厚度均勻、低切損。
目前4英寸、6英寸主要采用多線切割設(shè)備，將碳化硅晶體切割成厚度不超過1mm的薄片。
多線切割示意圖
未來隨著碳化硅晶圓尺寸的加大，對材料利用率要求的提升，激光切片、冷分離等技術(shù)也將逐步得到應(yīng)用。
英飛凌曾在2018年收購Siltectra GmbH，后者開發(fā)了一種成為冷裂的創(chuàng)新工藝。相比傳統(tǒng)的多線切割工藝損失1/4，冷裂工藝只損失1/8的碳化硅材料。
◇ 外延 ◇
由于碳化硅材料不能直接在襯底上制作功率器件，需額外在外延層上制造各種器件。因此襯底制作完成后，經(jīng)過外延工藝在襯底上生長出特定的單晶薄膜，襯底晶片和外延薄膜合稱外延片。
目前主要采用化學(xué)氣相沉積法（CVD）工藝制作。
◇ 設(shè)計 ◇
襯底制作完成后，則進(jìn)入產(chǎn)品設(shè)計階段。
對于MOSFET而言，設(shè)計環(huán)節(jié)的重點是溝槽的設(shè)計，一方面要避免專利侵權(quán)（英飛凌、羅姆、意法半導(dǎo)體等均有專利布局），另外則是滿足可制造性和制造成本。
◇ 晶圓制造 ◇
產(chǎn)品設(shè)計完成后便進(jìn)入晶圓制造階段，工藝大體與硅基類似，主要有以下5步。
第一步：注入掩膜
圖形化氧化膜，制作一層氧化硅（SiO2）薄膜，涂布光刻膠，經(jīng)過勻膠、曝光、顯影等步驟形成光刻膠圖形，最后通過刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到氧化膜上。
第二步：離子注入
將做好掩膜的碳化硅晶圓放入離子注入機(jī)，注入鋁離子以形成p型摻雜區(qū)，并退火以激活注入的鋁離子。
移除氧化膜，在p型摻雜區(qū)的特定區(qū)域注入氮離子以形成漏極和源極的n型導(dǎo)電區(qū)，退火以激活注入的氮離子。
第三步：制作柵極
制作柵極。在源極與漏極之間區(qū)域，采用高溫氧化工藝制作柵極氧化層，并沉積柵電極層，形成柵極控制結(jié)構(gòu)。
第四部：制作鈍化層
制作鈍化層。沉積一層絕緣特性良好的鈍化層，防止電極間擊穿。
第五步：制作漏源電極
制作漏極和源極。在鈍化層上開孔，并濺射金屬形成漏極和源極。
圖源：信熹資本
雖然工藝層面與硅基差別不大，但由于碳化硅材料的特性，離子注入和退火均需在高溫環(huán)境下進(jìn)行（最高1600℃），高溫會影響材料本身的晶格結(jié)構(gòu)，難度上升的同時也會影響良率。
此外，對于MOSFET部件而言，柵氧的質(zhì)量直接影響溝道的遷移率和柵極可靠性，由于碳化硅材料中同時存在有硅和碳兩種原子。
因此需要特殊的柵介質(zhì)生長方法（還有一點是碳化硅片是透明的，光刻階段位置對準(zhǔn)也難于硅基）。
晶圓制造完成后，將單個芯片切割成裸芯片后，即可根據(jù)用途進(jìn)行封裝。分立器件常見的工藝為TO封裝。
采用TO-247封裝的650V CoolSiC? MOSFET（圖源：英飛凌）
車載領(lǐng)域由于功率和散熱要求高，并且有時需要直接搭建橋式電路（半橋或者全橋，或直接和二極管一同封裝）。因此常直接封裝成模塊或者系統(tǒng)。
根據(jù)單個模塊封裝的芯片數(shù)量，常見的形式有1 in 1（博格華納）、6 in 1（英飛凌）等，部分企業(yè)采用單管并聯(lián)的方案。
博格華納Viper 支持雙面水冷、支持SiC-MOSFET
英飛凌CoolSiC?
MOSFET模塊和硅基不同，碳化硅模塊工作溫度較高，大約在200℃左右。
傳統(tǒng)的軟釬焊料溫度熔點溫度較低，無法滿足溫度要求。所以碳化硅模塊常采用低溫銀燒結(jié)焊接工藝。
模塊制作完成后便可應(yīng)用至零部件系統(tǒng)中。
特斯拉Model3電機(jī)控制器
裸芯片來自ST，自研封裝和電驅(qū)動系統(tǒng)
〖 SiC的應(yīng)用現(xiàn)狀 〗
車載領(lǐng)域，功率器件主要用在DCDC、OBC、電機(jī)逆變器、電動空調(diào)逆變器、無線充電等需要AC/DC快速轉(zhuǎn)換的部件中（DCDC中主要充當(dāng)快速開關(guān)）。
圖源：博格華納
相比硅基材料，碳化硅材料擁有更高的臨界雪崩擊穿場強(qiáng)（3×106V/cm）、更好的導(dǎo)熱性能（49W/mK）和更寬的禁帶（3.26eV）。
禁帶越寬，漏電流也就越小，效率也越高。導(dǎo)熱性能越好，則電流密度就越高。臨界雪崩擊穿場越強(qiáng)，則可以提升器件的耐壓性能。
因此在車載高壓領(lǐng)域，由碳化硅材料制備的MOSFET和SBD來替代現(xiàn)有的硅基IGBT和FRD的組合能有效提升功率和效率，尤其是在高頻應(yīng)用場景中降低開關(guān)損耗。
目前最有可能在電機(jī)逆變器中實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，其次為OBC和DCDC。
◇ 800V電壓平臺 ◇
在800V電壓平臺中，高頻的優(yōu)勢使得企業(yè)更傾向選擇SiC-MOSFET方案。因此目前800V電控大部分規(guī)劃SiC-MOSFET。
平臺級別的規(guī)劃有現(xiàn)代E-GMP、通用奧特能-皮卡領(lǐng)域、保時捷PPE、路特斯EPA，除保時捷PPE平臺車型未明確搭載SiC-MOSFET外（首款車型為硅基IGBT），其他車企平臺均采用SiC-MOSFET方案。
通用奧特能平臺
800V車型規(guī)劃的話就更多了，長城沙龍品牌機(jī)甲龍、北汽極狐S HI版、理想汽車S01和W01、小鵬G9、寶馬NK1、長安阿維塔E11均表示將搭載800V平臺，此外比亞迪、嵐圖、廣汽埃安、奔馳、零跑、一汽紅旗、大眾等也表示800V技術(shù)在研。
從Tier1供應(yīng)商800V訂單獲取的情況來看，博格華納、緯湃科技、ZF、聯(lián)合電子、匯川均宣布獲得800V電驅(qū)動訂單。
◇ 400V電壓平臺 ◇
而在400V電壓平臺中，SiC-MOSFET則主要處于高功率以及功率密度和高效率的考量。
如現(xiàn)在已經(jīng)量產(chǎn)的特斯拉Model 3\Y后電機(jī)，比亞迪漢后電機(jī)峰值功率200Kw左右（特斯拉202Kw、194Kw、220Kw，比亞迪180Kw），蔚來從ET7開始以及后續(xù)上市的ET5也將采用SiC-MOSFET產(chǎn)品，峰值功率為240Kw（ET5為210Kw）。
此外，從高效率角度來考慮部分企業(yè)也在探索輔驅(qū)用SiC-MOSFET產(chǎn)品的可行性。
◇ 其他產(chǎn)品 ◇
除電控產(chǎn)品外，部分企業(yè)在OBC和DCDC產(chǎn)品中也逐步采用SiC-MOSFET產(chǎn)品，如欣銳科技已經(jīng)在小三電（OBC產(chǎn)品）中采用該方案。
綜合來看，僅電控產(chǎn)品來看SiC-MOSFET在800V平臺的應(yīng)用確定性要強(qiáng)于400V平臺，而對于小三電產(chǎn)品中，當(dāng)下最大的制約因素為材料成本，短期替代性不強(qiáng)。