近日，我國的SiC外延片實現(xiàn)了8英寸的突破——廈門大學(xué)成功實現(xiàn)了8英寸SiC同質(zhì)外延生長。
廈門大學(xué)國產(chǎn)8英寸SiC外延片亮相
廈門大學(xué)成功實現(xiàn)了8英寸碳化硅同質(zhì)外延生長，成為國內(nèi)首家擁有并實現(xiàn)該項技術(shù)的機構(gòu)；同時標(biāo)志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關(guān)技術(shù)。
據(jù)悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×1015cm-3，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。
廈門大學(xué)科研團隊負(fù)責(zé)人表示，該技術(shù)的實現(xiàn)是廈門大學(xué)與瀚天天成等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，通過克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現(xiàn)了基于國產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長。
瀚天天成一直致力于研發(fā)生產(chǎn)SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”被列為廈門市2023年重點項目之一。根據(jù)該公告，2022年8月4日，瀚天天成以2610萬元競得廈門市翔安區(qū)2022XG09-G工業(yè)用地，將在該地新增75條碳化硅外延晶片生產(chǎn)線（配套尾氣凈化器）、1套純水機組及其他生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)計新增產(chǎn)能年產(chǎn)碳化硅外延晶片30萬片。
昭和電工、東莞天域
8英寸SiC外延片相關(guān)進展
除了廈門大學(xué)外，昭和電工與東莞天域在8英寸碳化硅外延片上也早有進展：
●昭和電工8英寸SiC外延片開始供樣
2022年9月，昭和電工宣布，他們已成功產(chǎn)出8英寸SiC外延片，并開始提供樣品，采用的是自產(chǎn)的8英寸SiC襯底。
目前，昭和電工SiC外延片市場占有率居世界第一，并且一直致力于使用本公司的襯底進行產(chǎn)品開發(fā)，旨在擴大200mm SiC外延片的生產(chǎn)，建立穩(wěn)定的供應(yīng)體系，進一步提高產(chǎn)品質(zhì)量。
●天域半導(dǎo)體建設(shè)全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線
2022年4月，松山湖管委會官網(wǎng)公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》征求意見稿。擬征收地塊面積6.316公頃，合計94.7畝，以建設(shè)天域半導(dǎo)體碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目——碳化硅外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。
項目主要內(nèi)容為新增產(chǎn)能達(dá)100萬片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線；8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷售。項目計劃2022年動工，預(yù)計2025年竣工并投產(chǎn)。
來源：行家說三代半